IRF7476PBF和STS6NF20V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7476PBF STS6NF20V

描述 Trans MOSFET N-CH 12V 15A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 600 mV

漏源极电压(Vds) 12 V 20 V

漏源击穿电压 12.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 6.00 A

上升时间 29.0 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 2550pF @6V(Vds) 460pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW

额定电压(DC) 12.0 V -

额定电流 15.0 A -

产品系列 IRF7476 -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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