BSS138和BSS138NL6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138 BSS138NL6327 BSS138LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V60V,0.23A,N沟道功率MOSFETON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 50 V

输入电容(Ciss) 27pF @25V(Vds) 41pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 360 mW 225 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 220 mA - 200 mA

额定功率 360 mW - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 3.5 Ω - 3.5 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 360 mW - 225 mW

阈值电压 1.3 V - 1.5 V

输入电容 27.0 pF - 40pF @25V

漏源击穿电压 50 V - 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 220 mA - 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW - 225 mW

栅电荷 2.40 nC - -

上升时间 9 ns - -

下降时间 7 ns - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.93 mm - 0.94 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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