对比图
型号 BQ4010LYMA-70N MK48Z12B-12 QS8885-35DB
描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)CMOS 2K x 8 ZEROPOWER SRAMCache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP24,
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Quality Semiconductor
分类 存储芯片
封装 DIP DIP DIP
安装方式 Through Hole - -
引脚数 28 - -
封装 DIP DIP DIP
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tray - -
电源电压(DC) 3.30 V - -
供电电流 30 mA - -
存取时间 70.0 ns - -
内存容量 8000 B - -
存取时间(Max) 70 ns - -
工作温度(Max) 85 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
电源电压 3.3 V - -
RoHS标准 RoHS Compliant - -
含铅标准 Contains Lead - -
ECCN代码 EAR99 - -