2N2222和BC636

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2222 BC636

描述 MULTICOMP  2N2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFEPNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Multicomp Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-18 TO-226-3

针脚数 3 -

极性 NPN PNP, P-Channel

耗散功率 500 mW 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 30.0 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 40 @150mA, 2V

直流电流增益(hFE) 100 40

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定功率(Max) - 1 W

耗散功率(Max) - -

额定电压(DC) - -45.0 V

额定电流 - -1.00 A

最大电流放大倍数(hFE) - 250

封装 TO-18 TO-226-3

长度 - 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm

高度 - 5.33 mm

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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