NTF3055L108T1G和STN3NF06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTF3055L108T1G STN3NF06 NVF3055L108T1G

描述 N 通道功率 MOSFET,60V,ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 VN 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 3.00 A 4.00 A -

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.12 Ω 0.07 Ω 0.092 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W

阈值电压 1.68 V 3 V 1.68 V

输入电容 313pF @25V 315 pF -

栅电荷 - 10.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 68 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 4.00 A 3A

上升时间 35 ns 18 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 315pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 3.3 W 1.3 W

下降时间 27 ns 6 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 3.3W (Tc) 1.3W (Ta)

通道数 1 - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 6.5 mm - 6.7 mm

宽度 3.5 mm - 3.7 mm

高度 1.57 mm - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - -

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