对比图
型号 HUF76629D3S SPB20N60S5 NTE2380
描述 20A ， 100V ， 0.054 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETINFINEON SPB20N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 VTO-220 N-CH 500V 2.5A
数据手册 ---
制造商 Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌) NTE Electronics
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-252-3 TO-220
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 20.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.16 Ω 3 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 208 W 40 W
阈值电压 - 4.5 V 4 V
输入电容 - 3.00 nF -
栅电荷 - 103 nC -
漏源极电压(Vds) - 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - 20.0 A 2.50 A
上升时间 - 25 ns -
输入电容(Ciss) - 3000pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 208 W -
下降时间 - 30 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
漏源击穿电压 - - 500 V
长度 - 10 mm -
宽度 - 9.25 mm -
高度 - 4.4 mm -
封装 - TO-252-3 TO-220
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Not Recommended Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951