IPP055N03LGXKSA1和IRL3103PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP055N03LGXKSA1 IRL3103PBF L-310

描述 N沟道 30V 50AINFINEON  IRL3103PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 VPower Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定功率 68 W 83 W -

漏源极电阻 0.0046 Ω 0.012 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 68 W 83 W -

阈值电压 1 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 64A -

上升时间 5.2 ns 120 ns -

输入电容(Ciss) 3200pF @15V(Vds) 1650pF @25V(Vds) -

下降时间 4 ns 9.1 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 68W (Tc) 94W (Tc) -

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 94 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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