对比图
型号 IRF251 JAN2N6766 JANTX2N6766
描述 High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-3 TO-3
引脚数 - - 3
极性 - N-CH -
耗散功率 - 4W (Ta), 150W (Tc) 4 W
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 30A -
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)
通道数 - - 1
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 - TO-3 TO-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead