对比图
型号 FQPF9N50C STF10NK50Z STP9NK50ZFP
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STF10NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 800 mΩ 550 mΩ 0.72 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 44 W 30 W 30 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 4.50 A 7.20 A
上升时间 - 17 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1219pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 44 W 30 W 30 W
下降时间 - 15 ns 22 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 44 W 30W (Tc) 30000 mW
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 9.00 A 9.00 A -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 16.4 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99