IRF7301PBF和STS5DNF20V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7301PBF STS5DNF20V IRF7301TR

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 5.20 A 5.00 A -

通道数 2 - -

漏源极电阻 0.07 Ω 30 mΩ -

极性 N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 2 W 2 W -

产品系列 IRF7301 - -

输入电容 660pF @15V - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

漏源击穿电压 20 V 20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.20 A 5.00 A -

上升时间 42.0 ns 33 ns -

热阻 62.5℃/W (RθJA) - -

输入电容(Ciss) 660pF @15V(Vds) 460pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2 W 2 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 - 1.6 W -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 2.7 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

下降时间 - 10 ns -

耗散功率(Max) - 2 W -

长度 5 mm 5 mm -

高度 1.5 mm 1.65 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

宽度 - 4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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