对比图
型号 FCB36N60NTM FCP36N60N STB45N65M5
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB36N60NTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 VSupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.081 Ω 0.081 Ω 0.067 Ω
耗散功率 312 W 312 W 210 W
阈值电压 2 V 2 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
输入电容(Ciss) 4785pF @100V(Vds) 4785pF @100V(Vds) 3375pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 312 W 312 W 208 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 312W (Tc) 312W (Tc) 210W (Tc)
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 36A 36A -
上升时间 22 ns 22 ns -
下降时间 4 ns 4 ns -
漏源击穿电压 600 V - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 9.65 mm 4.83 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 16.51 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -