对比图
型号 STB160N75F3 BUK764R0-75C,118 IRF3808SPBF
描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 75V 199AN沟道 75V 106A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 106 A
漏源极电阻 - - 7 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 330 W 333 W 200 W
产品系列 - - IRF3808S
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 5310pF @25V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 - - 75 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 199A 106 A
上升时间 65 ns 133 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 6750pF @25V(Vds) 11659pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 333 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
下降时间 15 ns 119 ns -
耗散功率(Max) 330W (Tc) 333W (Tc) -
长度 10.75 mm - 10.67 mm
高度 4.6 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 10.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17