MC34151DR2G和UCC27324PE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC34151DR2G UCC27324PE4 MC34151DR2

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC34151DR2G  MOSFET Driver, 6.5V-18V supply, SOIC-8 新双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0V (max) - 18.0V (max)

上升/下降时间 31ns, 32ns 20ns, 15ns 31ns, 32ns

无卤素状态 Halogen Free - -

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 - -

耗散功率 0.56 W 780 mW 560 mW

上升时间 31 ns 23 ns 31 ns

输出电流(Max) 1.5 A - -

下降时间 32 ns 23 ns 32 ns

下降时间(Max) 32 ns 40 ns -

上升时间(Max) 31 ns 40 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) 560 mW 780 mW -

电源电压 6.5V ~ 18V 4.5V ~ 15V 6.5V ~ 18V

电源电压(Max) 18 V 15 V -

电源电压(Min) 6.5 V 4 V -

输出电流 - 4 A -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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