对比图
型号 IPD50N06S2L13ATMA1 IPD50N06S2L13ATMA2
描述 DPAK N-CH 55V 50AN沟道 55V 50A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 136W (Tc) 136W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A
上升时间 - 29 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)
下降时间 - 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅