2N3766LEADFREE和JANTXV2N3767

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3766LEADFREE JANTXV2N3767 2N3766

描述 TO-66 NPN 60V 4ANPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPower Transistors TO-66 Case

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 25 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 4A - -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

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