对比图
型号 MMBTA63 MMBTA63LT1G BC807-40
描述 Trans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3Pin SOT-23 T/RON SEMICONDUCTOR MMBTA63LT1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFESOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Rectron Semiconductor
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -
耗散功率 350 mW 225 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -
最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V -
额定功率(Max) 350 mW 225 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
增益带宽 125MHz (Min) 125MHz (Min) -
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW -
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -500 mA -
无卤素状态 - Halogen Free -
针脚数 - 3 -
极性 - PNP -
集电极最大允许电流 - 0.5A -
直流电流增益(hFE) - 5000 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -
长度 - 3.04 mm -
宽度 - 1.3 mm -
高度 - 1.01 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -