对比图
型号 IRFL4310PBF IRLM120ATF IRFL4310TRPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RINFINEON IRFL4310TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4
引脚数 4 - 4
漏源极电阻 0.2 Ω 220 mΩ 0.2 Ω
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 2.1 W 2.7 W 2.1 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.2A 2.30 A 2.2A
上升时间 18 ns 10 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.7 W 1 W
下降时间 20 ns 9 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 2.7W (Tc) 1W (Ta)
额定功率 2.1 W - 2.1 W
针脚数 4 - 4
阈值电压 2 V - 4 V
通道数 1 - -
输入电容 330pF @25V - -
长度 6.7 mm 6.5 mm -
宽度 3.7 mm 3.5 mm -
高度 1.7 mm 1.8 mm -
封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -