对比图
型号 IRFR120NTRL STD6NF10T4 IRFR120N
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3Pin (2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.21Ω; ID 9.4A; D-Pak (TO-252AA); PD 48W
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管N沟道MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 9.40 A 6.00 A 9.10 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
产品系列 IRFR120N - IRFR120N
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 9.40 A 3.00 A 9.40 A
上升时间 23.0 ns 10 ns 23.0 ns
耗散功率 - 30 W 39.0 W
漏源击穿电压 - 100 V 100V (min)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.22 Ω -
阈值电压 - 4 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
输入电容(Ciss) - 280pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 30 W -
下降时间 - 3 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 30W (Tc) -
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -