对比图
型号 IRF6665PBF IRF6665TR1 IRF6665TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 100V 4.2ADirect-FET N-CH 100V 4.2AINFINEON IRF6665TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 5 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 6
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
漏源极电阻 - 53.0 mΩ 0.053 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.2W (Ta), 42W (Tc) 42 W
产品系列 - IRF6665 -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) 4.2A 3.40 A 4.2A
上升时间 - 2.8 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) - 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)
下降时间 - 4.3 ns 4.3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
额定功率 - - 42 W
针脚数 - - 6
阈值电压 - - 5 V
额定功率(Max) - - 2.2 W
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
长度 - - 4.85 mm
宽度 - - 3.95 mm
高度 - - 0.7 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17