对比图
型号 NTB125N02RG NTB125N02RT4 NTB125N02R
描述 功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 24.0 V 24.0 V 24.0 V
额定电流 125 A 125 A 125 A
漏源极电阻 3.70 mΩ 3.70 mΩ 3.70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
输入电容 3.44 nF - 3.44 nF
栅电荷 28.0 nC - 28.0 nC
漏源极电压(Vds) 24 V 24 V 24 V
漏源击穿电压 24.0 V 24.0 V 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 125 A 125 A 125 A
输入电容(Ciss) 3440pF @20V(Vds) 3440pF @20V(Vds) 3440pF @20V(Vds)
耗散功率(Max) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
额定功率(Max) - 1.98 W 1.98 W
上升时间 - 39.0 ns -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead