BSC030N03MSG和BSC100N03MSGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC030N03MSG BSC100N03MSGATMA1 BSC050NE2LS

描述 30V,100A,N沟道功率MOSFETINFINEON  BSC100N03MSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC050NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 - 30 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0083 Ω 0.0042 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 69.0 W 30 W 28 W

阈值电压 - 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 12A 39A

上升时间 - 4.8 ns 2.2 ns

输入电容(Ciss) 5700pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds) 760pF @12V(Vds)

下降时间 - 5.4 ns 2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

额定功率(Max) 69 W - 28 W

长度 - 5.9 mm 6.1 mm

宽度 - 5.15 mm 5.35 mm

高度 - 1.27 mm 1.1 mm

封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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