对比图
描述 NXP BUK9Y11-30B 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.5 VNXP PSMN012-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 60 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-669 SOT-669
针脚数 4 4
漏源极电阻 9 mΩ 8 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 89 W
阈值电压 1.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 59.0 A -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
额定功率 - 89 W
输入电容(Ciss) - 1685pF @30V(Vds)
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 89 W
封装 SOT-669 SOT-669
长度 - 5 mm
宽度 - 4.1 mm
高度 - 1.1 mm
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 - Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant Exempt
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃