JANTX2N930和JANTXV2N930

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N930 JANTXV2N930 2N930

描述 TO-18 NPN 45V 0.03ATO-18 NPN 45V 0.03ATrans GP BJT NPN 45V 0.03A 3Pin TO-18 Box

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-18-3 TO-18 TO-206

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.3 W 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.03A 0.03A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10µA, 5V 100 @10µA, 5V -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 500 mW

封装 TO-18-3 TO-18 TO-206

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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