对比图
型号 FDP75N08A IRFB3507PBF IRF2807ZPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 VN沟道,75V,97A,8.8mΩ@10VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.5Milliohms; ID 89A; TO-220AB; PD 170W; -55deg
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V 75.0 V
额定电流 75.0 A 97.0 A 75.0 A
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 11 mΩ 7.00 mΩ 9.4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 137 W 190 W 170 W
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 4.47 nF - 3270pF @25V
栅电荷 104 nC - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 75.0V (min) 75 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 97.0 A 75.0 A
上升时间 212 ns 81.0 ns 79.0 ns
输入电容(Ciss) 4468pF @25V(Vds) 3540pF @50V(Vds) 3270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 137 W 190 W 170 W
下降时间 147 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 137W (Tc) 190 W -
产品系列 - IRFB3507 IRF2807Z
额定功率 - 190 W -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.83 mm - -
高度 9.4 mm - 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 - -