对比图
描述 达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR BD681G. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 4.00 A - 4.00 A
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - 3 3
极性 NPN - NPN
耗散功率 40000 mW 40 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 4A - 4A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750
额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 750 750
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 11.04 mm - 11.04 mm
封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Box Tube Bulk
最小包装 500 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99