LM358M/NOPB和LM358MX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM358M/NOPB LM358MX/NOPB LM358M

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM358M/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 8-SOICFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  LM358M  运算放大器, 双路, 2个放大器, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 40mA @15V 40mA @15V 30 mA

供电电流 1 mA 1 mA 800 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.53 W 0.53 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -

带宽 1 MHz 1 MHz -

转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz -

输入补偿电压 2 mV 2 mV 2.9 mV

输入偏置电流 45 nA 45 nA 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz -

耗散功率(Max) 530 mW 530 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 32V 3V ~ 32V 3.32 VDC

电源电压(Max) 32 V 32 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

电源电压(DC) - - 32.0V (max)

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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