FQP4N50和STP4NK50Z

对比图

型号 FQP4N50 STP4NK50Z

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP4NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 3.40 A 3.00 A

额定功率 - 45 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 2.70 Ω 2.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 45 W

阈值电压 - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.00 A

上升时间 45 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W

下降时间 30 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 45W (Tc)

长度 10.67 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm

高度 16.3 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -