对比图
型号 FJE3303H1TU KSE13003ASTU MJE13003G
描述 高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si TransistorSWITCHMODE TM系列NPN硅功率晶体管300和400伏40瓦 SWITCHMODE TM Series NPN Silicon Power Transistor 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V
额定电流 1.50 A 1.50 A 1.50 A
极性 N-Channel, P-Channel NPN NPN
耗散功率 20 W 20 W 1.40 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 8 8 @500mA, 2V 8 @500mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - 40 -
额定功率(Max) 20 W 20 W 1.4 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
频率 4 MHz - -
漏源击穿电压 700 V - -
连续漏极电流(Ids) 1.50 A - -
耗散功率(Max) 20000 mW - 1400 mW
长度 8 mm 8 mm -
宽度 3.25 mm 3.25 mm -
高度 11 mm 11 mm -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99