对比图
型号 IPD025N06N IPD025N06NATMA1 IPD053N06NATMA1
描述 INFINEON IPD025N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON IPD025N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON IPD053N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0021 Ω 0.0021 Ω 0.0045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 167 W 167 W 83 W
阈值电压 2.8 V 2.8 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - -
连续漏极电流(Ids) 90A 90A 45A
上升时间 20 ns 20 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @30V(Vds) 5200pF @30V(Vds) 2000pF @30V(Vds)
下降时间 12 ns 12 ns 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 167W (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) 3000 mW
额定功率 - 167 W 83 W
输入电容 - 5200 pF 2000 pF
长度 6.5 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -