对比图
型号 APT50GF120B2RG IXDN75N120 APT60GT60BRG
描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4Pin SOT-227B功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Chassis Through Hole
引脚数 3 4 3
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-247-3
耗散功率 - 660000 mW 500000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 600 V
输入电容(Cies) - 5.5nF @25V -
额定功率(Max) 781 W 660 W 500 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 781000 mW 660000 mW 500000 mW
额定电压(DC) 1.20 kV - 600 V
额定电流 156 A - 100 A
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99