对比图
型号 IRF820APBF IRF820B STP4NK50ZD
描述 功率MOSFET Power MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 3.00 A
漏源极电阻 3 Ω 210 mΩ 2.70 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 49 W 45 W
输入电容 - - 310 pF
栅电荷 - - 12.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 3.00 A
上升时间 12 ns 30 ns 15.5 ns
输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) - 310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W - 45 W
下降时间 13 ns 35 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50 W - 45W (Tc)
针脚数 3 - -
长度 10.41 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.01 mm 16.3 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -