对比图
型号 IRF1607PBF STP80NF55L-06 FDP060AN08A0
描述 N沟道 75V 142ASTMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 55.0 V 75.0 V
额定电流 142 A 80.0 A 80.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.008 Ω 0.0048 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 380 W 300 W 255 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 55.0 V 75.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 142 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 130 ns 180 ns 79 ns
输入电容(Ciss) 7750pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 5150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 380 W 300 W 255 W
下降时间 - 80 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 255W (Tc)
产品系列 IRF1607 - -
输入电容 7750pF @25V - 5.15 nF
栅电荷 - - 73.0 nC
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.83 mm
高度 16.51 mm 15.75 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99