CSD87350Q5D和CSD87355Q5D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD87350Q5D CSD87355Q5D CSD87351ZQ5D

描述 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对CSD87355Q5D 同步降压 NexFET™ 电源块同步降压NexFET功率模块 Synchronous Buck NexFET Power Block

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP LSON-CLIP-8

耗散功率 12 W 12 W 12000 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 17 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 1770pF @15V(Vds) 1860pF @15V(Vds) 1255pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 12 W 12 W 12 W

下降时间 2.3 ns - 4.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 12 W 12000 mW 12000 mW

电源电压(Max) - - 8 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.005 Ω 0.0039 Ω -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel -

阈值电压 2.1 V 1.9 V -

通道数 2 - -

漏源击穿电压 ±30 V - -

长度 6.1 mm - 6 mm

宽度 5.1 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP LSON-CLIP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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