对比图
型号 BSP110 BSP110,115
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.325A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FETNXP BSP110,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Yageo (国巨) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-261-4
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 5 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 6.25 W
阈值电压 - 2 V
漏源极电压(Vds) - 100 V
连续漏极电流(Ids) - 520 mA
输入电容(Ciss) - 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 6.25 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 6.25W (Tc)
长度 - 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm
高度 - 1.7 mm
封装 - TO-261-4
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Cut Tape (CT)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17