对比图
描述 SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power TransistorON SEMICONDUCTOR BUV22G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 8 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 2
封装 TO-204-2 TO-204-2
频率 - 8 MHz
额定电压(DC) 250 V 250 V
额定电流 40.0 A 40.0 A
针脚数 - 2
极性 NPN NPN
耗散功率 250 mW 250 W
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V
集电极最大允许电流 40A 40A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @10A, 4V 20 @10A, 4V
额定功率(Max) 250 W 250 W
直流电流增益(hFE) - 8
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 250000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 60 -
封装 TO-204-2 TO-204-2
长度 38.86 mm -
宽度 26.67 mm -
高度 8.51 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tray Tray
最小包装 100 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 - EAR99