FDD5202P和FDD5614P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD5202P FDD5614P FDD5614P_NL

描述 P沟道逻辑电平MOSFET P-Channel, Logic Level, MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD5614P  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V60V P-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -15.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 100 mΩ -

极性 - P-Channel P-CH

耗散功率 - 42 W -

输入电容 - 759 pF -

栅电荷 - 15.0 nC -

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - -15.0 A 15A

上升时间 - 10 ns -

输入电容(Ciss) - 759pF @30V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.6 W -

下降时间 - 12 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 42W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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