IPP054NE8NGHKSA2和IPP057N08N3GXKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP054NE8NGHKSA2 IPP057N08N3GXKSA1

描述 TO-220AB N-CH 85V 100AINFINEON  IPP057N08N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 150 W

漏源极电压(Vds) 85 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 100A 80A

输入电容(Ciss) 12100pF @40V(Vds) 4750pF @40V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 150W (Tc)

额定功率 - 150 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 4.9 mΩ

阈值电压 - 2.8 V

漏源击穿电压 - 80 V

上升时间 - 66 ns

额定功率(Max) - 150 W

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10 mm

宽度 - 4.4 mm

高度 - 15.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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