IRFR3910和PHD18NQ10T,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3910 PHD18NQ10T,118 STD15NF10T4

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3Pin (2+Tab) DPAKTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 633pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 79 W 70 W

耗散功率 - 79 W 70 W

上升时间 - 36 ns 45 ns

下降时间 - 12 ns 17 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 79W (Tc) 70W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 23.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.065 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 23.0 A

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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