对比图
型号 MG75Q2YS40 MG75Q2YS42 BSM75GB120DN2
描述 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - - Screw
引脚数 - - 7
封装 - - 34MM-1
额定功率 - - 625 W
耗散功率 - - 625 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 625000 mW
长度 - - 94 mm
宽度 - - 34 mm
高度 - - 30.5 mm
封装 - - 34MM-1
工作温度 - - -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free