BZV55-C10,115和BZV55C9V1 L1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C10,115 BZV55C9V1 L1 BZV55-C10,135

描述 NXP  BZV55-C10,115  单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CDiode Zener Single 9.1V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin Mini-MELF T/RMini-MELF 10V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 SOD-80 Mini-MELF

耗散功率 500 mW 500 mW 0.5 W

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 10 V 9.1 V 10 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

容差 ±5 % - ±5 %

针脚数 2 - -

正向电压 900mV @10mA - 900mV @10mA

正向电压(Max) 900mV @10mA - 900mV @10mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 SOD-80 SOD-80 Mini-MELF

长度 3.7 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.6 mm - -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 200℃

温度系数 6.4 mV/K - 6.4 MV/K

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