BC848CDW1T1和BC848CDXV6T5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848CDW1T1 BC848CDXV6T5 BC848CDXV6T1

描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 SOT-563 SOT-563-6

极性 - NPN NPN

耗散功率 380 mW - 0.5 W

增益频宽积 - - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V 420

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V 32.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

耗散功率(Max) 380 mW - -

额定功率(Max) - 500 mW -

长度 - - 1.6 mm

宽度 - - 1.2 mm

高度 - - 0.55 mm

封装 SOT-363 SOT-563 SOT-563-6

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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