FQPF6N90和FQPF8N90C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF6N90 FQPF8N90C IRFZ44EPBF

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETINFINEON  IRFZ44EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - - 110 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 1.93 Ω 1.90 Ω 0.023 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 56W (Tc) 60 W 110 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 1360 pF

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 60 V

漏源击穿电压 900 V 900 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 6.30 A 48A

上升时间 - 110 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 1880pF @25V(Vds) 2080pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds)

下降时间 - 70 ns 70 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 56W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) 900 V 900 V -

额定电流 3.40 A 6.30 A -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

额定功率(Max) - 60 W -

长度 - - 10.54 mm

高度 - - 8.77 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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