BC640-16G和MPS4250G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640-16G MPS4250G 2N930

描述 高电流晶体管 High Current TransistorsPNP硅晶体管 PNP Silicon TransistorTrans GP BJT NPN 45V 0.03A 3Pin TO-18

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Semelab

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92 TO-92-3 TO-18

引脚数 - 3 3

额定功率 800 mW - -

极性 PNP PNP, P-Channel -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.05A -

耗散功率(Max) - 625000 mW 300 mW

额定电压(DC) - -40.0 V -

耗散功率 - 625 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 250 @10mA, 5V -

额定功率(Max) - 625 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-92 TO-92-3 TO-18

长度 - 5.21 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 7.87 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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