FJX2907ATF和MMST2907A-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJX2907ATF MMST2907A-7-F MMBT2907AWT1G

描述 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。DIODES INC.  MMST2907A-7-F  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-323 SC-70-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -600 mA

额定功率 - - 0.15 W

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.325 W 200 mW 150 mW

增益频宽积 - - 200 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A - 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 325 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 100 200

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 325 mW 200 mW 150 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

长度 2 mm - 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.24 mm

高度 0.9 mm - 0.7 mm

封装 SOT-323 SOT-323 SC-70-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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