FDN336P和PMV160UP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDN336P PMV160UP FDN336P-NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN336P  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.122 ohm, -4.5 V, -900 mVNXP  PMV160UP  晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV 新MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.122 Ω 0.17 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 500 mW 335 mW 500mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1.20 A 1.2A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 2.17 W 500mW (Ta)

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -1.30 A - -

输入电容 330 pF - -

栅电荷 3.60 nC - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

上升时间 12 ns - -

输入电容(Ciss) 330pF @10V(Vds) - 330pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW - -

下降时间 5 ns - -

长度 2.92 mm 3 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -

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