对比图
型号 IRFB3077PBF STP210N75F6 PHP75NQ08T,127
描述 N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STP210N75F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 3.3 mΩ 0.003 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 370 W 300 W 157 W
阈值电压 4 V 2 V -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 210 A 120A -
上升时间 87.0 ns 70 ns 36 ns
输入电容(Ciss) 9400pF @50V(Vds) 11800pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 370 W 300 W 157 W
下降时间 - 71 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 157W (Tc)
额定电压(DC) 75.0 V - -
额定电流 210 A - -
产品系列 IRFB3077 - -
漏源击穿电压 75 V - -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Rail, Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -