对比图
型号 IRFZ44NSTRLPBF STB55NF06T4 STB35NF10T4
描述 N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 100 V
额定电流 49.0 A 50.0 A 40.0 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 110 W 115 W
产品系列 IRFZ44NS - -
输入电容 1.47 nF - -
栅电荷 63.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 49.0 A 50.0 A 40.0 A
上升时间 60.0 ns 50 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1470pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 110 W 115 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.015 Ω 0.03 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
下降时间 - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 115W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -