CSD75205W1015和CSD75208W1015

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD75205W1015 CSD75208W1015

描述 双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD75208W1015,双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 UFBGA-6 UFBGA-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.095 Ω 0.056 Ω

极性 P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 750 mW 750 mW

阈值电压 650 mV 0.5 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1.2A 1.6A

上升时间 5.3 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 265pF @10V(Vds) 410pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 750 mW 750 mW

下降时间 17 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW

通道数 - 2

封装 UFBGA-6 UFBGA-6

长度 - 1.5 mm

宽度 - 1 mm

高度 - 0.625 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 停产 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台