对比图
型号 IRLR024TRPBF MLD1N06CLT4G IRLR024NTRPBF
描述 功率MOSFET Power MOSFETSMARTDISCRETES TM MOSFET 1安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAKINTERNATIONAL RECTIFIER IRLR024NTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 100 mΩ 750 mΩ 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 40 W 45 W
漏源极电压(Vds) 60 V 59 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 1.00 A 17.0 A
上升时间 110 ns 4 ns 74.0 ns
输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) - 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 45 W
下降时间 41 ns 3 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 40000 mW -
额定电压(DC) - 62.0 V 55.0 V
额定电流 - 1 A 17.0 A
无卤素状态 - Halogen Free -
漏源击穿电压 - 62.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±10.0 V -
额定电压 - 65 V -
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
产品系列 - - IRLR024N
阈值电压 - - 2 V
输入电容 - - 480pF @25V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 2000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -