JAN1N647-1和JANTXV1N647-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N647-1 JANTXV1N647-1 1N647-1

描述 硅整流二极管 Silicon Rectifier DiodesRectifier Diode, 1Element, 0.15A, 12V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2Pin硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-204AH DO-35 DO-204AH

正向电压 1V @400mA 1V @400mA 1V @400mA

钳位电压 22.6 V 22.6 V 22.6 V

测试电流 10 mA 10 mA 10 mA

正向电流 400 mA 400 mA 400 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

击穿电压 13.6 V 13.6 V 13.6 V

正向电压(Max) 1V @400mA - 1V @400mA

正向电流(Max) 400 mA - 400 mA

耗散功率(Max) - - 500 mW

电路数 1 - -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 DO-204AH DO-35 DO-204AH

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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